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[新聞] 20nm製程 三星使手機記憶體容量更大
Dec 30th 2013, 21:09, by pf775

作者pf775 (pf775)

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標題[新聞] 20nm製程 三星使手機記憶體容量更大

時間Mon Dec 30 21:08:59 2013

http://mag.udn.com/mag/digital/storypage.jsp?f_ART_ID=492208 20nm製程 三星使手機記憶體容量更大 數位資訊 2013/12/30 聯合新聞網／記者楊又肇／報導 先期預告進行量產20nm製程DDR4記憶體模組後，三星宣布著手研發業界首款20nm製程設計 的8Gb LPDDR4行動記憶體模組 (Mobile DRAM)，預計將可提供高階智慧型手機、平板機種 使用4GB記憶體容量，並且提供比現有LPDDR3記憶模組高出50%效能，以及減少40%電耗表 現。 三星宣布將著手研發業界首款20nm製程設計的8Gb LPDDR4行動記憶體模組，將比現有 LPDDR3記憶模組高出50%效能，以及減少40%電耗表現，約以1.1V電壓即可驅動使用。新款 LPDDR4記憶估計將可對應4GB記憶體容量，配合64位元處理器定址能力，將能讓高階智慧 型手機、平板裝置使用更多記憶體空間。 目前三星預計將在2014年公佈自行設計的64位元處理器，配合新款LPDDR4行動記憶體模組 ，除可用於自家新款旗艦機Galaxy S 5，估計也將提供包含蘋果、LG等一線廠商新款裝置 使用。 而配合明年準備成為高階行動裝置主流使用的64位元處理器，估計將會有更多裝置跨入 3GB以上記憶體容量設計規格。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.25.30.87

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